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Technische Details MT46V64M8CY-5B:J Micron
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V, Technology: SDRAM - DDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12.5), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 700 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MT46V64M8CY-5B:J | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Anzahl der Pins: 60Pins euEccn: NLR Speicherdichte: 512Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: - Betriebstemperatur, max.: 70°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| MT46V64M8CY-5B:J | Hersteller : Micron |
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MT46V64M8CY-5B:J | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT46V64M8CY-5B:J | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT46V64M8CY-5B:J | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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