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Technische Details MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Micron
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 256M x 8, DigiKey Programmable: Verified.
Weitere Produktangebote MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR nach Preis ab 4.89 EUR bis 6.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR | Hersteller : Micron Technology |
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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
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