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MSRF860G onsemi
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Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Technische Details MSRF860G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220FP, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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MSRF860G | Hersteller : onsemi |
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MSRF860G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MSRF860G Produktcode: 172051 |
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MSRF860G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MSRF860G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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