MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
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| 1+ | 296.86 EUR |
| 10+ | 296.84 EUR |
| 25+ | 284.13 EUR |
| 100+ | 277.76 EUR |
| 250+ | 254.11 EUR |
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Technische Details MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W, Case: SP3F, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 110A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 44A, On-state resistance: 50mΩ, Power dissipation: 245W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120HM50CT3AG nach Preis ab 263.05 EUR bis 325.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
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.jpg "MSCSM120HM50CT3AG") |
MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F |
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| MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 110A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 44A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 245W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 110A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 44A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 245W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
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