MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120HM16CT3AG nach Preis ab 913.6 EUR bis 913.6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : Microchip Technology | Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F |
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MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : Microchip Technology | Full Bridge Sic Mosfet Power Module |
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MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSCSM120HM16CT3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
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