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MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 350A, Case: SP1F, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MSCSM120AM16CT1AG | Hersteller : Microchip Technology |
 Phase Leg Sic Mosfet Power Module |
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| MSCSM120AM16CT1AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Case: SP1F Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSCSM120AM16CT1AG | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
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| MSCSM120AM16CT1AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP1F; Press-in PCB Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Case: SP1F Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ |
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