MSCGTQ100HD65C1AG Microchip Technology
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Technische Details MSCGTQ100HD65C1AG Microchip Technology
Description: PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Cutoff (Max): 80 A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSCGTQ100HD65C1AG | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1FPackaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 80 A |
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| MSCGTQ100HD65C1AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
MSCGTQ100HD65C1AG IGBT modules |
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