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MSC025SMA120S Microsemi
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Technische Details MSC025SMA120S Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 63A, Pulsed drain current: 222A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, On-state resistance: 31mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 232nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSC025SMA120S nach Preis ab 49.97 EUR bis 79.27 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
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MSC025SMA120S | Hersteller : Microchip Technology |
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MSC025SMA120S | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 370W Case: D3PAK On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC025SMA120S | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 222A; 370W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 370W Case: D3PAK On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced |
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