MRFE6VP8600HSR5 NXP Semiconductors
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Technische Details MRFE6VP8600HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230S, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 860MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 125W, Gain: 19.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230S, Voltage - Rated: 130 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 1.4 A.
Weitere Produktangebote MRFE6VP8600HSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MRFE6VP8600HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors VHV6 600W NI1230S 50V |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFE6VP8600HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP8600HSR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A |
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