MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 150+ | 317.54 EUR |
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Technische Details MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.333kW, Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP61K25HR6 nach Preis ab 285.01 EUR bis 384.11 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.333kW Bauform - Transistor: NI-1230H-4S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
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MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
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