MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
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| 4+ | 48.45 EUR |
| 10+ | 44.83 EUR |
| 25+ | 41.32 EUR |
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Technische Details MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP5150NR1 nach Preis ab 33.81 EUR bis 63.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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