MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-860C3
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 857MHz ~ 863MHz
Power - Output: 270W
Gain: 20.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-860C3
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 1.6 A
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Technische Details MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-860C3, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 857MHz ~ 863MHz, Power - Output: 270W, Gain: 20.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-860C3, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 1.6 A.
Weitere Produktangebote MRFE6P3300HR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MRFE6P3300HR3 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6P3300HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| MRFE6P3300HR3 |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRFE6P3300HR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6P3300HR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V NI860C3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-860C3 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 857MHz ~ 863MHz Power - Output: 270W Gain: 20.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-860C3 Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 1.6 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6P3300HR3 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 300W NI860ML |
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