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MRF5S21100HSR5 Freescale Semiconductor

Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 2.16GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 23W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.05 A

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Technische Details MRF5S21100HSR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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	MRF5S21100HSR5	Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER)	Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 273 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)