MRF5S19150HSR5 Freescale Semiconductor
Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 32W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
Description: FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-880S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 32W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
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Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 206.64 EUR |
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Technische Details MRF5S19150HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19150HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 427 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-880, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: NI-880, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S19150HSR5 | Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19150HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 427 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-880 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: NI-880 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |