MRF5S19100HSR5 Freescale Semiconductor
Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 13.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Power - Output: 22W
Gain: 13.9dB
Technology: LDMOS
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Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 105.24 EUR |
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Technische Details MRF5S19100HSR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 269W, Bauform - Transistor: NI-780S, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S19100HSR5 | Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S19100HSR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 1.9 GHz, 2 GHz, NI-780S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.9GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 269W Bauform - Transistor: NI-780S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |