MRF101AN

MRF101AN NXP Semiconductors


mrf101an.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+40.41 EUR
10+ 35.99 EUR
25+ 33.96 EUR
50+ 29.78 EUR
100+ 26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MRF101AN NXP Semiconductors

Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote MRF101AN nach Preis ab 26.82 EUR bis 43.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP Semiconductors mrf101an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+40.41 EUR
10+ 35.99 EUR
25+ 33.96 EUR
50+ 29.78 EUR
100+ 26.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP USA Inc. MRF101AN.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+43.33 EUR
10+ 39.96 EUR
50+ 38.17 EUR
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP Semiconductors MRF101AN-1510799.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
auf Bestellung 3096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+43.65 EUR
10+ 40.27 EUR
25+ 40.25 EUR
50+ 38.46 EUR
100+ 35.08 EUR
250+ 33.46 EUR
500+ 31.84 EUR
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP 2718519.pdf Description: NXP - MRF101AN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP Semiconductors prf101an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MRF101AN MRF101AN Hersteller : NXP Semiconductors mrf101an.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar