MRF1000MB Advanced Semiconductor, Inc.
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 94.41 EUR |
| 10+ | 84.13 EUR |
| 25+ | 79.13 EUR |
| 50+ | 76.47 EUR |
| 100+ | 73.83 EUR |
| 250+ | 71.19 EUR |
| 500+ | 66.74 EUR |
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Technische Details MRF1000MB Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03, Packaging: Tray, Package / Case: 332A-02, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 10.7dB ~ 12dB, Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V, Supplier Device Package: 332A-03, Style 2.
Weitere Produktangebote MRF1000MB nach Preis ab 76.95 EUR bis 98.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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| MRF1000MB | Hersteller : MACOM |
 Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 4-Pin Case 332A-03 |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF1000MB | Hersteller : MACOM |
RF Bipolar Transistors Transistor,960-1215MHz,18V,0.7W |
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| MRF1000MB |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MRF1000MB | Hersteller : MACOM Technology Solutions |
Description: RF TRANS NPN 20V 332A-03 Packaging: Tray Package / Case: 332A-02 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Gain: 10.7dB ~ 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: 332A-03, Style 2 |
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