Technische Details MR756 ON
Description: DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON, Packaging: Bulk, Package / Case: Button, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: Microde Button, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MR756 Produktcode: 124666 |
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MR756 | Hersteller : EIC |
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MR756 | Hersteller : EIC |
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MR756 | Hersteller : EIC |
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MR756 | Hersteller : ON Semiconductor |
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MR756 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Button, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: Microde Button Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
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MR756 | Hersteller : Solid State Inc. |
![]() Packaging: Box Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
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MR756 | Hersteller : onsemi |
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