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MMUN2111LT1G

MMUN2111LT1G ON Semiconductor

dta114e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2111LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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7463+ 0.018 EUR
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Mindestbestellmenge: 2942
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2370+ 0.03 EUR
2942+ 0.024 EUR
3390+ 0.021 EUR
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Mindestbestellmenge: 1330
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
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3587+ 0.02 EUR
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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7408+ 0.016 EUR
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi DTA114E_D-2310690.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 69290 Stücke:
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMUN2111LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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600+0.053 EUR
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MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3696100 Stücke:
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G
Produktcode: 49208 		dta114e-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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