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Technische Details MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
Weitere Produktangebote MMRF5018HSR5 nach Preis ab 526.9 EUR bis 526.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMRF5018HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 RF Power GAN Transistor |
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| MMRF5018HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Power GAN Transistor |
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MMRF5018HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Power GAN Transistor |
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| MMRF5018HSR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V |
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MMRF5018HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V |
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