MMPQ2907A onsemi / Fairchild
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| 1+ | 3.27 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 250+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| 2500+ | 1.47 EUR |
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Technische Details MMPQ2907A onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: 4fach-PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MMPQ2907A | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 4fach-PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MMPQ2907A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMPQ2907A - Bipolares Transistor-Array, 4fach-PNP, 60 V, 600 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 4fach-PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| MMPQ2907A | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
(PNP,60V,0.6A,1W,250MHZ,SO-16) |
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MMPQ2907A Produktcode: 203060 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MMPQ2907A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMPQ2907A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1000mW 16-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMPQ2907A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active |
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MMPQ2907A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 4PNP 60V 0.6A 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active |
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