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MMJT350T1G

MMJT350T1G onsemi

mmjt350t1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 650 mW
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Technische Details MMJT350T1G onsemi

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 650 mW.

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MMJT350T1G MMJT350T1G Hersteller : onsemi mmjt350t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 650 mW
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MMJT350T1G MMJT350T1G Hersteller : onsemi MMJT350T1_D-2316357.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
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