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MMFTP5618

MMFTP5618 Diotec Semiconductor

mmftp5618.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 361 pF @ 30 V
auf Bestellung 2675 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details MMFTP5618 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 361 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMFTP5618 MMFTP5618 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftp5618.pdf MOSFET MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 150C, P
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MMFTP5618 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftp5618.pdf P-Channel Enhancement Mode FET P-Kanal FET Anreicherungstyp
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MMFTP5618 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftp5618.pdf MMFTP5618-DIO SMD P channel transistors
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MMFTP5618 MMFTP5618 Hersteller : Diotec Semiconductor mmftp5618.pdf Description: MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 0,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 361 pF @ 30 V
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