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MMFTP3334K

MMFTP3334K Diotec Semiconductor

mmftp3334k.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 1W
Supplier Device Package: SOT-23
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Technische Details MMFTP3334K Diotec Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: 16A; 1W; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 5.9nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 16A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -4A, On-state resistance: 71mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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MMFTP3334K MMFTP3334K Hersteller : Diotec Semiconductor mmftp3334k.pdf Description: MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 1W
Supplier Device Package: SOT-23
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MMFTP3334K MMFTP3334K Hersteller : Diotec Semiconductor mmftp3334k.pdf MOSFET MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P
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MMFTP3334K MMFTP3334K Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftp3334k.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: 16A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMFTP3334K MMFTP3334K Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmftp3334k.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: 16A; 1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
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