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MMBZ27VALT1G ON Semiconductor
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ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V 27Vbr 40Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ27VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 22V SOT23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 25.65V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 22 V.
Weitere Produktangebote MMBZ27VALT1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 258000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 27V; 1A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 27V Max. forward impulse current: 1A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 22V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 27V; 1A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 27V Max. forward impulse current: 1A Peak pulse power dissipation: 40W Semiconductor structure: common anode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 22V Features of semiconductor devices: ESD protection Leakage current: 50nA Kind of package: reel; tape Tolerance: ±5% |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 25.65V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 22 V |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 27771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 29393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 25.65V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 22 V |
auf Bestellung 119823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 25.65V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 28.35V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 40V |
auf Bestellung 45824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 25.65V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 28.35V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 40V |
auf Bestellung 45824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ27VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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