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MMBZ15VALT1G ON Semiconductor
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ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 12V 15Vbr 21Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ15VALT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 14.25V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V.
Weitere Produktangebote MMBZ15VALT1G nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 14.25V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 14.25V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12 V |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 31209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.25V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.75V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21V |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 14.25V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 15.75V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 21V |
auf Bestellung 32840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBZ15VALT1G Produktcode: 132350 |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 12V Max. forward impulse current: 1.9A Breakdown voltage: 15V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MMBZ15VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Mounting: SMD Tolerance: ±5% Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 12V Max. forward impulse current: 1.9A Breakdown voltage: 15V |
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