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MMBTH11

MMBTH11 onsemi

MPSH11%2CMMBTH11.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Technische Details MMBTH11 onsemi

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTH11 MMBTH11 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003546804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH11 - TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.05A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
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MMBTH11 MPSH11%2CMMBTH11.pdf
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBTH11 MMBTH11 Hersteller : onsemi MPSH11%2CMMBTH11.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
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MMBTH11 MMBTH11 Hersteller : onsemi MPSH11%2CMMBTH11.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
MMBTH11 MMBTH11 Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild MPSH11-D-1811831.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
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