MMBTH10M3T5G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTH10M3T5G ON Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 265mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote MMBTH10M3T5G nach Preis ab 0.054 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active |
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS |
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active |
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MMBTH10M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTH10M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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