MMBTA56WT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1425+ | 0.05 EUR |
| 1640+ | 0.044 EUR |
| 2070+ | 0.035 EUR |
| 2185+ | 0.033 EUR |
| 12000+ | 0.032 EUR |
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Technische Details MMBTA56WT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBTA56WT1G nach Preis ab 0.025 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.46W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 34272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 34272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
auf Bestellung 22368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 16502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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