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MMBTA14LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA14LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBTA14LT1G nach Preis ab 0.025 EUR bis 0.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 32832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 25163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 113303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBTA14LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz |
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