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MMBT918LT1G onsemi
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Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.097 EUR |
6000+ | 0.084 EUR |
15000+ | 0.072 EUR |
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Technische Details MMBT918LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT918LT1G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 71718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 600MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 23700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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