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MMBT6520LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT6520LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote MMBT6520LT1G nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.55 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 15...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : onsemi |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 47230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBT6520LT1G Produktcode: 147958 |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT6520LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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