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MMBT6427LT1G

MMBT6427LT1G ON Semiconductor


mmbt6427lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT6427LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : onsemi mmbt6427lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : onsemi MMBT6427LT1_D-2316328.pdf Darlington Transistors 500mA 40V NPN
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : onsemi mmbt6427lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ONSEMI 1750846.pdf Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6427lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 40V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6427LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt6427lt1-d.pdf darl.NPN 1.2A 40V 350mW MMBT6427 smd TMMBT6427
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT6427LT1G.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBT6427LT1G MMBT6427LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT6427LT1G.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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