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MMBT5551LT1H

MMBT5551LT1H onsemi

ONSM-S-A0002809745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
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Technische Details MMBT5551LT1H onsemi

Description: SS SOT23 HV XSTR NPN 160V, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

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MMBT5551LT1H Hersteller : onsemi ONSM-S-A0002809745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
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