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MMBT5551-7-F
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MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

MMBT5551.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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Anzahl Preis ohne MwSt
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596+ 0.12 EUR
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Technische Details MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT5551-7-F
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 		MMBT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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596+ 0.12 EUR
839+ 0.085 EUR
1055+ 0.068 EUR
1352+ 0.053 EUR
2174+ 0.033 EUR
2674+ 0.027 EUR
2738+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 556
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5051+0.03 EUR
9000+ 0.018 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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30000+ 0.041 EUR
75000+ 0.037 EUR
150000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
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3000+ 0.035 EUR
9000+ 0.033 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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80+ 0.22 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-7-F Hersteller : DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F DIODES TMMBT5551-7-F Diodes
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Hersteller : Diodes Inc 1308ds30061.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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