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MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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556+ | 0.13 EUR |
596+ | 0.12 EUR |
839+ | 0.085 EUR |
1055+ | 0.068 EUR |
1352+ | 0.053 EUR |
2174+ | 0.033 EUR |
2674+ | 0.027 EUR |
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Technische Details MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT5551-7-F nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
auf Bestellung 2738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 158359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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auf Bestellung 1561 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : DIODES/ZETEX |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
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