MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G ON


MMBT5401.pdf
Produktcode: 34131
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.1
h21,max: 240
verfügbar 250 Stück:

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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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582+ 0.12 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi MMBT5401LT1_D-2316019.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5401LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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400+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 400
MMBT5401LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
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2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Produktcode: 3112
ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11016 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.0099 EUR
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Produktcode: 2430
EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 986 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.03 EUR
220uF 25V EXR 8x12mm (EXR221M25B-Hitano)
Produktcode: 2428
EXR_080421.pdf
220uF 25V EXR 8x12mm (EXR221M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
10000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.055 EUR
ULN2003D (MC1413D, SO-16)(ULN2003D1013TR)
Produktcode: 2351
ULN2001A-ULN2004A.pdf
ULN2003D (MC1413D, SO-16)(ULN2003D1013TR)
Hersteller: ST
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Zusammenbau 7 Darlington, 30V, 500mA
Монтаж: SMD
№ 4: -20...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
auf Bestellung 127 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.25 EUR
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1253
BC847C.pdf
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 11320 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.018 EUR
1000+ 0.012 EUR