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MMBT5401-7-F

MMBT5401-7-F Diodes Zetex

ds30057.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT5401-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30057.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30057.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30057.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30057.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30057.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30057.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30057.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30057.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30057-3214535.pdf Bipolar Transistors - BJT SS PNP 300mW
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT5401-7-F MMBT5401-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5401-7-F Hersteller : DIODES ds30057.pdf SOT23
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Produktcode: 202211 		ds30057.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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