![MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
MMBT5087LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT5087LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 |
auf Bestellung 3311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : onsemi |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 65604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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MMBT5087LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT5087LT1G Produktcode: 175250 |
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