MMBT3906.215

MMBT3906.215 ON


mmbt3906-datasheeton.pdf
Produktcode: 23943
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.2
h21,max: 300
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors PHGLS11180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.037 EUR
6000+ 0.035 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT3906LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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571+0.13 EUR
820+ 0.087 EUR
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1534+ 0.047 EUR
1600+ 0.044 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT3906LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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571+0.13 EUR
820+ 0.087 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf PHGLS11180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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500+0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
1069+ 0.067 EUR
1316+ 0.054 EUR
1613+ 0.044 EUR
2093+ 0.034 EUR
2513+ 0.028 EUR
3629+ 0.02 EUR
3838+ 0.019 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf PHGLS11180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+0.14 EUR
676+ 0.11 EUR
1069+ 0.067 EUR
1316+ 0.054 EUR
1613+ 0.044 EUR
2093+ 0.034 EUR
2513+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1003+0.15 EUR
1431+ 0.1 EUR
2950+ 0.048 EUR
4762+ 0.029 EUR
5883+ 0.022 EUR
9000+ 0.016 EUR
24000+ 0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 1003
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi MMBT3906LT1_D-2316089.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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18+0.16 EUR
25+ 0.11 EUR
100+ 0.056 EUR
1000+ 0.035 EUR
3000+ 0.028 EUR
9000+ 0.021 EUR
24000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 18
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
920+0.17 EUR
1315+ 0.11 EUR
2711+ 0.052 EUR
4367+ 0.031 EUR
5406+ 0.024 EUR
9000+ 0.018 EUR
24000+ 0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 920
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 521801 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.18 EUR
136+ 0.13 EUR
251+ 0.07 EUR
500+ 0.055 EUR
1000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia MMBT3906-1539788.pdf Bipolar Transistors - BJT MMBT3906/SOT23/TO-236AB
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Anzahl Preis ohne MwSt
14+0.21 EUR
30+ 0.095 EUR
100+ 0.058 EUR
1000+ 0.026 EUR
3000+ 0.023 EUR
9000+ 0.021 EUR
45000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+0.21 EUR
115+ 0.15 EUR
215+ 0.082 EUR
500+ 0.065 EUR
1000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 84
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 53000 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2353 Stücke:
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 142907 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 142907 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA 454048.pdf Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA 25mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3906LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3906lt1-d.pdf PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 40098 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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MMBT3906LT1G Hersteller : ONS mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор биполярный PNP SOT-23-3
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MMBT3906LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf SOT23
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT1G /ONS диод
Produktcode: 58026
mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT1G /ONS диод
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
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MMBT3904
Produktcode: 176831
datasheet-mmbt3904-jin.pdf
MMBT3904
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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MMBT3906
Produktcode: 160583
mmbt3906-sot23.pdf
MMBT3906
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 4712 Stück
erwartet: 10000 Stück
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