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MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G onsemi

mmbt3416lt3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
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Technische Details MMBT3416LT3G onsemi

Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 225 mW.

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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : onsemi MMBT3416LT3_D-2316123.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3416LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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