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MMBT2484LT1G

MMBT2484LT1G ON Semiconductor

mmbt2484lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2484LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi MMBT2484LT1_D-2316261.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : onsemi mmbt2484lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
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73+ 0.24 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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20+3.58 EUR
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI 661355.pdf Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2484lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT2484LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2484lt1-d.pdf NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBT2484LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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