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Technische Details MMBFJ309LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBFJ309LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : onsemi |
JFET 25V 10mA |
auf Bestellung 379830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBFJ309LT1G Produktcode: 192071 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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