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MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G onsemi

MMBFJ177LT1_D-2316122.pdf Hersteller: onsemi
JFETs 25V 10mA
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Technische Details MMBFJ177LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16288 Stücke:
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBFJ177LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbfj177lt1-d.pdf FETs-P 1.5mA 45V Equivalent: SST177-T1, MMBFJ177LT1G, MMBFJ177, PMBFJ177 MMBFJ177 TMMBFJ177
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G
Produktcode: 32363 		mmbfj177lt1-d.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Drain current: 20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G Hersteller : ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Drain current: 20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
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