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MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

mmbf0201nlt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF0201NLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : onsemi MMBF0201NLT1_D-2315858.pdf MOSFET 20V 300mA N-Channel
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ONSEMI 1759782.pdf Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ONSEMI 1759782.pdf Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBF0201NLT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbf0201nlt1-d.pdf Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf0201nlt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ONSEMI mmbf0201nlt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Hersteller : ONSEMI mmbf0201nlt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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