MMBD6050-E3-08 Vishay Semiconductors
Hersteller: Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
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Technische Details MMBD6050-E3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MMBD6050-E3-08 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBD6050-E3-08 | Hersteller : Vishay |
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MMBD6050-E3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
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