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MJE4343G

MJE4343G onsemi

mje4343-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
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Technische Details MJE4343G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 750µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V, Frequency - Transition: 1MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 125 W.

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MJE4343G MJE4343G Hersteller : onsemi MJE4343_D-2315718.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
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