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MJE350G

MJE350G ON Semiconductor

mje350-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details MJE350G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MJE350G MJE350G Hersteller : ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...240
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE350G MJE350G Hersteller : ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...240
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
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MJE350G MJE350G Hersteller : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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10000+ 0.31 EUR
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MJE350G MJE350G Hersteller : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE350G MJE350G Hersteller : onsemi MJE350_D-2315746.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
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MJE350G MJE350G Hersteller : onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
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MJE350G MJE350G Hersteller : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE350G MJE350G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MJE350G Hersteller : ON Semiconductor mje350-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
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12+0.54 EUR
13+ 0.47 EUR
100+ 0.41 EUR
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MJE350G Hersteller : JSMicro Semiconductor mje350-d.pdf Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
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Mindestbestellmenge: 100
MJE350G Hersteller : ON-Semicoductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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MJE350G MJE350G
Produktcode: 112488 		mje350-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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MJE350G MJE350G Hersteller : ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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