MJE3055T JSMICRO
Produktcode: 190953
Hersteller: JSMICROGehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 155 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJE3055T (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 26410 |
Hersteller : ST |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-220AB fT: 2 MHz Uceo,V: 60 Ucbo,V: 70 Ic,A: 10 h21: 100 ZCODE: THT |
verfügbar: 15 Stück
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 70V Collector current: 10A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
auf Bestellung 6428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 1803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 6552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : ST |
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : ST |
NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : STM | Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE3055T | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
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MJE2955T Produktcode: 57977 |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
verfügbar: 70 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.34 EUR |
10+ | 0.29 EUR |
BD140 Produktcode: 15292 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1341 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.14 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
1,0uF 35V 10% F=5mm (TCR010K35BL2-Hitano) Produktcode: 1774 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren THT
Kapazität: 1,0uF
Spannung: 35V
Präzision: ±10%
Abmessungen: Ausgabeabstand 5mm
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren THT
Kapazität: 1,0uF
Spannung: 35V
Präzision: ±10%
Abmessungen: Ausgabeabstand 5mm
verfügbar: 109 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.16 EUR |
10+ | 0.12 EUR |
100+ | 0.074 EUR |
BAT41 Produktcode: 4263 |
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-35
Vrrm(V): 100
If(A): 0,1
VF@IF: 0,4
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 0,75 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-35
Vrrm(V): 100
If(A): 0,1
VF@IF: 0,4
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 0,75 A
verfügbar: 1713 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.1 EUR |
10+ | 0.092 EUR |
100+ | 0.068 EUR |
2N7000 Produktcode: 20638 |
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1940 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.25 EUR |