MJE243G ON Semiconductor
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Technische Details MJE243G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJE243G nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJE243G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE243G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN |
auf Bestellung 1359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE243G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE243G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE243G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE243G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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MJE243G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 15...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJE243G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 15...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz |
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