MJE15030G ON Semiconductor
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Technische Details MJE15030G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJE15030G nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN |
auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 150V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W |
auf Bestellung 3114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE15030G Produktcode: 180441 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE15030G Produktcode: 154352 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
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